•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Công nghệ xử lý thế hệ tiếp theo A16 của TSMC, tương đương tiến trình 1,6 nm, được xem là điểm khởi đầu cho “kỷ nguyên Angstrom”. Kỳ vọng của lộ trình này là cải thiện đáng kể hiệu năng và hiệu quả năng lượng so với thế hệ 2 nm hiện tại.
Theo WCCTech, TSMC dự kiến sản xuất hàng loạt A16 từ quý 4/2026. Tuy nhiên, các sản phẩm thương mại sử dụng tiến trình này nhiều khả năng sẽ xuất hiện trong giai đoạn 2027–2028.
So với phiên bản 2 nm được cải tiến (N2P), A16 được kỳ vọng mang lại:
Xa hơn, tiến trình A13 dự kiến ra mắt vào năm 2029 sẽ tiếp tục thu nhỏ diện tích chip thêm khoảng 6%. Việc giảm diện tích chip đồng nghĩa số lượng chip sản xuất được trên mỗi tấm wafer silicon sẽ nhiều hơn, từ đó góp phần kéo chi phí trên mỗi đơn vị xuống.
Tiến trình A13 được định hướng tối ưu cho các lĩnh vực như điện toán hiệu năng cao (HPC), AI và thiết bị di động.
Trong khi A16 và các bước tiếp theo đang ở giai đoạn kế hoạch, tiến trình tiên tiến nhất hiện nay là giai đoạn 2 nm đã bắt đầu được thương mại hóa trên điện thoại thông minh từ đầu năm.
Trong đó, các thiết bị tiên phong gồm Samsung Galaxy S26 và Samsung Galaxy S26+. Ở các thị trường như châu Âu, Hàn Quốc, Ấn Độ, Đông Nam Á, Trung Đông và châu Phi, hai mẫu máy này được trang bị vi xử lý Exynos 2600. Đây là con chip do Samsung tự thiết kế và sản xuất thông qua Samsung Foundry trên tiến trình 2 nm của hãng.
Về phía Apple, iPhone 17 Pro Max hiện vẫn sử dụng chip A19 Pro do TSMC sản xuất trên tiến trình 3 nm thế hệ thứ ba (N3P).
Về mặt công nghệ, khi kích thước tiến trình càng thu nhỏ, bóng bán dẫn càng nhỏ, cho phép tích hợp nhiều bóng bán dẫn hơn trên cùng một diện tích.
Khi mật độ bóng bán dẫn tăng, quãng đường di chuyển của electron được rút ngắn. Điều này được cho là giúp cải thiện tốc độ xung nhịp, nâng hiệu năng xử lý và giảm điện năng tiêu thụ cho mỗi lần bật/tắt transistor. Nhờ đó, các thiết bị dùng chip tiến trình nhỏ hơn như 2 nm có thể vừa mạnh hơn, vừa tiết kiệm pin hơn.
Không chỉ dừng ở việc thu nhỏ kích thước, các chip 2 nm của TSMC còn ứng dụng kiến trúc Gate-All-Around (GAA). Theo mô tả trong nội dung gốc, kênh dẫn được bao quanh từ bốn phía thay vì ba phía như công nghệ FinFET trước đây.
Cách tiếp cận này được cho là giúp giảm dòng rò, tăng khả năng kiểm soát dòng điện và cho phép bóng bán dẫn chuyển đổi giữa trạng thái “bật” và “tắt” nhanh hơn, từ đó nâng cao hiệu năng tổng thể của chip.
TSMC cho biết sẽ mở ra “kỷ nguyên Angstrom” với các tiến trình A-series như A16, A14, A13 và A12. Trong đó, A16 được xem là bước chuyển lớn nhờ công nghệ cấp nguồn mặt sau (Backside Power Delivery), được hãng gọi là Super Power Rail (SPR).
Theo mô tả, trong thiết kế truyền thống, dây tín hiệu và dây nguồn đều nằm ở mặt trước của tấm silicon. Với SPR, các thành phần này được chuyển xuống mặt sau, kết nối trực tiếp tới cực nguồn và cực thoát của bóng bán dẫn. Nhờ vậy, tín hiệu không còn phải đi qua hàng chục lớp kim loại trung gian, vốn có thể gây điện trở và suy hao điện áp.
Ngoài ra, việc “dọn đường” cho mặt trước của tấm bán dẫn cũng cho phép các dây tín hiệu được bố trí dày đặc hơn. Điều này giúp tăng mật độ bóng bán dẫn mà không cần tiếp tục thu nhỏ tiến trình. Đồng thời, đường dẫn điện ngắn và trực tiếp hơn được kỳ vọng giảm thất thoát năng lượng dưới dạng nhiệt, hỗ trợ bóng bán dẫn chuyển mạch nhanh hơn, đặc biệt hữu ích cho các tác vụ nặng như trí tuệ nhân tạo tạo sinh.
Không chỉ TSMC, nội dung gốc cho biết Intel và Samsung cũng đang theo đuổi hướng đi tương tự với các biến thể cấp nguồn mặt sau. Trong đó, Intel gọi công nghệ của mình là PowerVia.
Năm 2026 đánh dấu Imexpharm xác lập và duy trì vị thế nhà sản xuất thuốc EU-GMP số 1 Việt Nam trong suốt một thập kỷ. Tại ĐHĐCĐ 2026 tổ chức hôm 22/4 tại TP HCM, lãnh đạo Imexpharm nhấn mạnh “10 năm EU-GMP” là nền tảng năng lực khó…
